愛普生發表DMOS-ASIC(雙擴散金屬氧化物場效電晶體–特殊應用積體電路),提供高耐壓和大電流解決方案


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S1X8H000 (圖片)

- 東京,日本 -

精工愛普生推出DMOS-ASIC單晶片整合方案,結合矽設計製造智慧產權完成的特殊應用積體電路,並將邏輯電路整合於「雙擴散金屬氧化物場效電晶體」*1 (DMOS, double-diffused MOSFET)上,具高耐壓,大電流特性。愛普生日本國內已取得客戶採用DMOS-ASIC的S1X8H000、S1K8H000系列方案。

愛普生半導體事業始至於設計製造於1969年上市世界第一隻石英錶中。石英錶中CMOS IC需要小型化,合理物料成本,省電特性,讓石英錶實現更長的計時器工作時間。歷經四十餘年,「省、小、精」技術工藝,愛普生半導體事業亦涉足設計開發各類液晶顯示器驅動器,特殊應用積體電路、微控制器,或其它CMOS制程半導體元件。

近年來,愛普生半導體業務聚焦於社內印表機或相關自有產品,充份發揮垂直設計製造整合半導體晶圓廠的經年累計電路設計和晶圓製造經驗,創造出更高產品價值和貢獻。除CMOS-IC用於石英錶外,愛普生亦開發出支援高耐壓、大電流DMOS製程技術,結合超大型積體電路設計,使用於自有產品上。

因應全球暖化和環境保護等各國專注議題,是我們公司永續經營的最高目標,半導體市場目前更關注於改善電力轉換時效能損失相關問題,特別是應用於新興國家高速成長的家庭應用裝置,需求強勁的純電力電動汽車、油電混合動力汽車,或未來新世代電力汽車應用。

為達成環境保護和節能目標,愛普生發展出高耐壓、大電流優點DMOS-ASIC製程技術。在此製程技術工藝下,實現許多卓越產品效能的商品,驅使我們在大眾市場亦推出同等級製程工藝的半導體解決方案,善用已累計多年開發製造低耗電CMOS和新DMOS高效能的經驗。

藉由過往社內商品開發經驗所創造出大量矽智慧財產權,我們已將其轉換成可商業化的特殊應用積體電路知識產權中,這些來自創造產品附加價值四十餘年的設計經驗,讓我們能夠實現長期的穩定產業供貨能力,和更彈性電路設計商品化技術支援。

愛普生推出S1X8H000和S1K8H000系列產品方案,結合0.15微米CMOS和DMOS製程達到高耐壓、大電流特性,結合特殊應用積體電路(包含嵌入式陣列電路和標準邏輯元件)、可嵌入相關邏輯控制電路,實現低耗電、高效能的設計目標。

藉由特殊電路設計和製程工藝,愛普生成功解決推出可整合邏輯控制單元、功率半導體單元、特殊應用積體電路,兼俱高耐壓、大電流等特性的先進矽智慧設計產權和製程工藝,這大幅改善電路設計時過多零件造成空間置放問題。內部邏輯電路可應客戶實際應用需求調整,整合在DMOS-ASICs單晶片中。如此大幅改良過往過多零散元件間造成電力損失,優化耗電流控制,實現小型化,省電的商品設計,並降低物料清單中的零件費用成本。

相關矽設計製慧產權和製程可廣泛應用於眾多產品,例如俱雙向通道通信、輸入-輸出連結等裝置,高電壓電路切換,電源轉換功能,馬達驅動控制H橋電路。

應對愛普生2025年企業願景,愛普生微電子元件多項業務,以「省、小、精」為核心設計開發目標,讓旗下時脈元件和半導體事業創造高附加價值的解決方案。我們期待搭載愛普生微電子元件各項解決方案下的商品,實現更綠能、更環保的產品設計,這都將會是愛普生所創造的貢獻。

產品特色

-          DMOS可降低50%以上電晶體導通阻抗,相較傳統CMOS(金屬互補式氧化物半導體)高耐壓製程,實現更省電,夠高效能轉換能力。

-          可將0.15微米CMOS邏輯電路、DMOS製程、非揮發性記憶體、其它元件,整合於單晶片中。

-          俱備豐富矽智慧設計製造財產權,方便客戶彈性選擇使用。

相關矽智慧設計製造財產權例:DMOS電晶體過電流檢測功能、H橋電路、線性穩壓器、靜態記憶體、低工作電壓檢知、過電壓檢知、過熱檢知等安全功能。愛普生亦計劃後續推出相關矽智慧設計製造財產權以供選擇使用。

相關連結

零件相關資料連結: https://global.epson.com/products_and_drivers/semicon/products/asic/dmos_asic.html

日文版新聞稿: https://www.epson.jp/osirase/2021/210526.htm

相關需求詢問窗口

愛普生計劃於2021年12月後開始供應DMOS-ASICs產品,予日本外的海外市場客戶。

如有相關產品資訊需求或問題,請洽各愛普生海外分公司營業單位。

海外營業: https://global.epson.comglobal.epson.com/products_and_drivers/semicon/information/support.html

產品概略規格

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*1雙擴散金屬氧化物場效電晶體: 電晶體結合大量電力單元於晶圓表面或底部,實現高耐壓和大電流效能於晶圓垂直共面結構上。雙擴散金屬氧化物場效電晶體通常可承受數十伏特到數百伏特工作耐壓。

2021-06-29